מספר מוצר של יצרן:
TSM120NA03CR RLG
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM120NA03CR RLG-DG
תיאור:
MOSFET N-CH 30V 39A 8PDFN
תיאור מפורט:
N-Channel 30 V 39A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
מלאי:
12894492
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM120NA03CR RLG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, טרנזיסטורי FET בודדים, MOSFETs
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
סדרה
-
סטטוס המוצר
Obsolete
סוג FET
N-Channel
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
ניקוז למתח מקור (Vdss)
30 V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
39A (Tc)
מתח כונן (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
11.7mOhm @ 11A, 10V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
2.5V @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
9.2 nC @ 10 V
VGS (מקס')
±20V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
562 pF @ 15 V
תכונת FET
-
פיזור כוח (מרבי)
33W (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילת מכשירים לספקים
8-PDFN (5x6)
חבילה / מארז
8-PowerTDFN
מספר מוצר בסיסי
TSM120
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM120NA03CR RLGTR-DG
TSM120NA03CRRLGCT
TSM120NA03CRRLGDKR
TSM120NA03CR RLGDKR-DG
TSM120NA03CR RLGDKR
TSM120NA03CR RLGTR
TSM120NA03CR RLGCT-DG
TSM120NA03CRRLGTR
TSM120NA03CR RLGCT
חבילה סטנדרטית
2,500
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
מודלים חלופיים
מספר חלק
BSC120N03MSGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
28843
DiGi מספר חלק
BSC120N03MSGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.19
סוג משאב
Similar
מספר חלק
BSZ130N03MSGATMA1
יצרן
Infineon Technologies
כמות זמינה
16290
DiGi מספר חלק
BSZ130N03MSGATMA1-DG
מחיר ליחידה
0.23
סוג משאב
Similar
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMP2075UVT-7
MOSFET P-CH 20V 3.8A TSOT26 T&R
TSM60N380CH C5G
MOSFET N-CH 600V 11A TO251
TSM60N900CI C0G
MOSFET N-CH 600V 4.5A ITO220AB
